产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7615ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7615ADN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7615DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7615DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP265N6F6AG
仓库库存编号:
497-15558-5-ND
别名:497-15558-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 41.7W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI260N6F6
仓库库存编号:
497-14194-5-ND
别名:497-14194-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STI260N6F6
仓库库存编号:
497-11329-5-ND
别名:497-11329-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 313W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP38N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP38N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH265N6F6-2AG
仓库库存编号:
497-15471-1-ND
别名:497-15471-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH265N6F6-6AG
仓库库存编号:
497-15472-1-ND
别名:497-15472-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH260N6F6-6
仓库库存编号:
497-15144-1-ND
别名:497-15144-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH260N6F6-2
仓库库存编号:
497-11217-1-ND
别名:497-11217-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP260N6F6
仓库库存编号:
497-11230-5-ND
别名:497-11230-5
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 50A SOT429
详细描述:通孔 N 沟道 200V 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247-3
型号:
PSMN040-200W,127
仓库库存编号:
PSMN040-200W,127-ND
别名:934055781127
PSMN040-200W
PSMN040-200W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 183nC @ 10V,
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