以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6680A
  仓库库存编号：FDS6680ACT-ND
  别名：FDS6680ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA406DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA406DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 166W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD101NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD101NQ03LT,118-ND
  别名：934057029118
  PHD101NQ03LT /T3
  PHD101NQ03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS7C4F30L
  仓库库存编号：497-3232-1-ND
  别名：497-3232-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4920DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4920DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 22A（Ta） 1.2W（Ta），45W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP22N055SLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP22N055SLE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4920DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4920DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4920DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811
  仓库库存编号：IRF7811-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 14A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811TR
  仓库库存编号：IRF7811TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP101NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP101NQ03LT,127-ND
  别名：934057031127
  PHP101NQ03LT
  PHP101NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 166W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU101NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU101NQ03LT,127-ND
  别名：934057508127
  PHU101NQ03LT
  PHU101NQ03LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索