产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN2R203NCL1QCT-ND
别名:TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NC,L1QCT-ND
TPN2R203NCL1QCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 98W(Tc) TO-220
型号:
TK32E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK32E12N1S1X-ND
别名:TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK32A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK32A12N1S4X-ND
别名:TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-ND
TK32A12N1S4X
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8132,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8132LQ(S-ND
别名:TPC8132LQ(S
TPC8132LQS
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8062-H,LQ(CM
仓库库存编号:
TPC8062-HLQ(CM-ND
别名:TPC8062-HLQ(CM
TPC8062HLQCM
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无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta) 1.6W(Ta),42W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8062-H,LQ(CM
仓库库存编号:
TPCA8062-HLQ(CM-ND
别名:TPCA8062-HLQ(CM
TPCA8062HLQCM
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8104(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8104FMCT-ND
别名:TPCF8104FCT
TPCF8104FCT-ND
TPCF8104FMCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8018-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8018-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 13A(Ta) 100W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3403(Q)
仓库库存编号:
2SK3403(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Toshiba Semiconductor and Storage,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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