产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50UPE,215
仓库库存编号:
1727-1377-1-ND
别名:1727-1377-1
568-10836-1
568-10836-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3113PT1G
仓库库存编号:
NTLJS3113PT1GOSCT-ND
别名:NTLJS3113PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 40A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 35W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M3DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M3DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS3DPF60L
仓库库存编号:
497-4123-1-ND
别名:497-4123-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3113PTAG
仓库库存编号:
NTLJS3113PTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.7nC @ 4.5V,
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