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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6030BL
  仓库库存编号：FDB6030BL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 14SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 15A 1.1W, 1.3W Surface Mount 14-SO
  
  型号：FDQ7698S
  仓库库存编号：FDQ7698S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20LTU
  仓库库存编号：FQU10N20LTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD10N20LTF
  仓库库存编号：FQD10N20LTF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） 3.13W（Ta），87W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB10N20LTM
  仓库库存编号：FQB10N20LTM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.5A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM6296
  仓库库存编号：FDM6296CT-ND
  别名：FDM6296CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2031ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2031ENGR-ND
  别名：917-EPC2031ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807
  仓库库存编号：IRF7807-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7807D1
  仓库库存编号：IRF7807D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807D2
  仓库库存编号：IRF7807D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807TR
  仓库库存编号：IRF7807TR-ND
  别名：SP001556108
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807D1TR
  仓库库存编号：IRF7807D1TR-ND
  别名：SP001577472
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7807D2TR
  仓库库存编号：IRF7807D2TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807A
  仓库库存编号：IRF7807A-ND
  别名：*IRF7807A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807ATR
  仓库库存编号：IRF7807ATR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804
  仓库库存编号：BSO4804INCT-ND
  别名：BSO4804INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807D2PBFCT-ND
  别名：*IRF7807D2TRPBF
  IRF7807D2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7807D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7807D1TRPBF
  IRF7807D1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：BSO4804T
  仓库库存编号：BSO4804XTINCT-ND
  别名：BSO4804XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 34A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 34A（Tc） 97W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP32N06LT,127
  仓库库存编号：PHP32N06LT,127-ND
  别名：934056955127
  PHP32N06LT
  PHP32N06LT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 4.9A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT11N06LT,135
  仓库库存编号：PHT11N06LT,135-ND
  别名：934054590135
  PHT11N06LT /T3
  PHT11N06LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807ATRPBF
  仓库库存编号：IRF7807ATRPBFCT-ND
  别名：IRF7807ATRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  DIODE ARRAY 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Ta) 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO4804HUMA2
  仓库库存编号：BSO4804HUMA2-ND
  别名：SP000932732
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 5V,
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