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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 76A 8SON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 76A（Tc） 2.8W（Ta），69W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25402Q3A
  仓库库存编号：296-38916-1-ND
  别名：296-38916-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），97A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16322Q5
  仓库库存编号：296-25112-1-ND
  别名：296-25112-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），97A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SON
  
  型号：CSD16322Q5C
  仓库库存编号：296-25644-1-ND
  别名：296-25644-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NTMFD4901NFT1G
  仓库库存编号：NTMFD4901NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFD4901NFT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 13.3A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NTMFD4902NFT1G
  仓库库存编号：NTMFD4902NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFD4902NFT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta） 750mW（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C10NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C10NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4C10NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU3714TR
  仓库库存编号：IRLU3714TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3714
  仓库库存编号：IRLR3714-ND
  别名：*IRLR3714
  SP001558928
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3714
  仓库库存编号：IRLU3714-ND
  别名：*IRLU3714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714S
  仓库库存编号：IRL3714S-ND
  别名：*IRL3714S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3714L
  仓库库存编号：IRL3714L-ND
  别名：*IRL3714L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STR
  仓库库存编号：IRL3714STR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STRL
  仓库库存编号：IRL3714STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STRR
  仓库库存编号：IRL3714STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3714TR
  仓库库存编号：IRL3714TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3714TRL
  仓库库存编号：IRLR3714TRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3714TRR
  仓库库存编号：IRLR3714TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3714PBF
  仓库库存编号：IRL3714PBF-ND
  别名：*IRL3714PBF
  SP001568444
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3714LPBF
  仓库库存编号：IRL3714LPBF-ND
  别名：*IRL3714LPBF
  SP001578578
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714SPBF
  仓库库存编号：IRL3714SPBF-ND
  别名：*IRL3714SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU3714PBF
  仓库库存编号：IRLU3714PBF-ND
  别名：*IRLU3714PBF
  SP001574190
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3714TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3714PBFCT-ND
  别名：*IRLR3714TRPBF
  IRLR3714PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3714STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3714STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3714STRLPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.7nC @ 4.5V,
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