以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 75W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5361L_F085
  仓库库存编号：FDMS5361L_F085CT-ND
  别名：FDMS5361L_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 21A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），75A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
  
  型号：DMTH3004LK3-13
  仓库库存编号：DMTH3004LK3-13DICT-ND
  别名：DMTH3004LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 54A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD64N4F6AG
  仓库库存编号：497-16304-1-ND
  别名：497-16304-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR2905Z
  仓库库存编号：AUIRFR2905Z-ND
  别名：SP001518150
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta） 3W（Ta），35W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1G260MNTB
  仓库库存编号：RS1G260MNTBCT-ND
  别名：RS1G260MNTBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.5A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta），52W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC7572S
  仓库库存编号：FDMC7572SCT-ND
  别名：FDMC7572SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 11A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8280
  仓库库存编号：FDMD8280CT-ND
  别名：FDMD8280CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 26A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34N50DM2AG
  仓库库存编号：497-16135-1-ND
  别名：497-16135-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2905ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR2905ZPBFCT-ND
  别名：*IRFR2905ZTRPBF
  IRFR2905ZPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0901NS
  仓库库存编号：BSC0901NSCT-ND
  别名：BSC0901NSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7820TRPBF
  仓库库存编号：IRF7820TRPBFCT-ND
  别名：IRF7820TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ019N03LS
  仓库库存编号：BSZ019N03LSCT-ND
  别名：BSZ019N03LSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7341QTR
  仓库库存编号：AUIRF7341QCT-ND
  别名：AUIRF7341QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Ta），90A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N10NSF GCT
  BSC100N10NSF GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A18DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP6A18DN8CT-ND
  别名：ZXMP6A18DN8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3910PBF
  仓库库存编号：IRFU3910PBF-ND
  别名：*IRFU3910PBF
  64-4139PBF
  64-4139PBF-ND
  SP001578380
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R160P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R160P6XKSA1-ND
  别名：SP001017068
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI22NM60N
  仓库库存编号：497-12259-ND
  别名：497-12259
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7676
  仓库库存编号：FDMS7676CT-ND
  别名：FDMS7676CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9640STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9640STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9640STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Tc） 96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ7N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ7N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ7N65E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB18NF30
  仓库库存编号：497-12970-1-ND
  别名：497-12970-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 28A 5X6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6482
  仓库库存编号：785-1229-1-ND
  别名：785-1229-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA26DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIRA26DP-T1-RE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 89W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIHJ8N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHJ8N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHJ8N60E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索