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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK31J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK31J60WS1VQ-ND
  别名：TK31J60W,S1VQ(O
  TK31J60WS1VQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76639S3ST
  仓库库存编号：HUF76639S3STFSCT-ND
  别名：HUF76639S3STFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76639S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76639S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76639S3ST_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  T6 40V MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C410NT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C410NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C410NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N60EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK764R0-55B,118
  仓库库存编号：1727-5254-1-ND
  别名：1727-5254-1
  568-6578-1
  568-6578-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS23N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS23N20DTRLPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR826ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60E-GE3-ND
  别名：SIHB22N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3008SFG-7
  仓库库存编号：DMN3008SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3008SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA25N50E-E3
  仓库库存编号：SIHA25N50E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHG25N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta），62A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3008SFGQ-13
  仓库库存编号：DMN3008SFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.6A（Ta），62A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3008SFGQ-7
  仓库库存编号：DMN3008SFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 15A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Ta），220A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB1404L
  仓库库存编号：785-1320-1-ND
  别名：785-1320-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 15A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta），220A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1404L
  仓库库存编号：785-1410-5-ND
  别名：785-1410-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NAFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFAFT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NAFT1G-ND
  
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  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Ta）, 300A（Tc） 3.9W（Ta）, 166W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C410NWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C410NWFAFT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 500V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB25N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHB25N50E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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