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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 150A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 150A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD80-0045PS
  仓库库存编号：FMD80-0045PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV20N80PS
  仓库库存编号：IXFV20N80PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 60A（Ta） 140W（Tc） TO-220（W）
  
  型号：TK60D08J1(Q)
  仓库库存编号：TK60D08J1(Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR814DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR814DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS23N20D
  仓库库存编号：IRFS23N20D-ND
  别名：*IRFS23N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB23N20D
  仓库库存编号：IRFB23N20D-ND
  别名：*IRFB23N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N20D
  仓库库存编号：IRFSL23N20D-ND
  别名：*IRFSL23N20D
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010EZL
  仓库库存编号：IRF1010EZL-ND
  别名：*IRF1010EZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010EZS
  仓库库存编号：IRF1010EZS-ND
  别名：*IRF1010EZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010EZ
  仓库库存编号：IRF1010EZ-ND
  别名：*IRF1010EZ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1010EZLPBF
  仓库库存编号：IRF1010EZLPBF-ND
  别名：*IRF1010EZLPBF
  SP001574512
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL23N20D102P
  仓库库存编号：IRFSL23N20D102P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF1010EZS
  仓库库存编号：AUIRF1010EZS-ND
  别名：SP001516450
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta），105A（Tc） 3.6W（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH6224TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH6224TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH6224TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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