产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA415DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA415DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA415DJ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW12N150K5
仓库库存编号：
497-16027-5-ND
别名：497-16027-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3008SFG-7
仓库库存编号：
DMP3008SFG-7DICT-ND
别名：DMP3008SFG-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 42A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6358
仓库库存编号：
785-1739-1-ND
别名：785-1739-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N04LS GCT
BSC050N04LS GCT-ND
BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS4435BZ
仓库库存编号：
FDMS4435BZCT-ND
别名：FDMS4435BZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD16AN08A0
仓库库存编号：
FDD16AN08A0CT-ND
别名：FDD16AN08A0CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD35N10-26P-GE3
仓库库存编号：
SUD35N10-26P-GE3CT-ND
别名：SUD35N10-26P-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8876
仓库库存编号：
FDD8876CT-ND
别名：FDD8876CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
型号：
FDMS8025S
仓库库存编号：
FDMS8025SCT-ND
别名：FDMS8025SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA16DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA16DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF06N60ZG
仓库库存编号：
NDF06N60ZGOS-ND
别名：NDF06N60ZG-ND
NDF06N60ZGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA16DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA16DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA16DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A PT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS0309AS
仓库库存编号：
FDMS0309ASCT-ND
别名：FDMS0309ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.6A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3008SFGQ-7
仓库库存编号：
DMP3008SFGQ-7DICT-ND
别名：DMP3008SFGQ-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 28A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP52N25M5
仓库库存编号：
497-11233-5-ND
别名：497-11233-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 24A PT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS0308AS
仓库库存编号：
FDMS0308ASCT-ND
别名：FDMS0308ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 8.3W（Ta），83W（Tc） TO-252
型号：
SUD35N10-26P-E3
仓库库存编号：
SUD35N10-26P-E3CT-ND
别名：SUD35N10-26P-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 190W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL33N60M2
仓库库存编号：
497-14969-1-ND
别名：497-14969-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF06N60ZH
仓库库存编号：
NDF06N60ZHOS-ND
别名：NDF06N60ZH-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
型号：
FDD16AN08A0_F085
仓库库存编号：
FDD16AN08A0_F085CT-ND
别名：FDD16AN08A0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），50A（Tc） 3.7W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6770A
仓库库存编号：
FDD6770ACT-ND
别名：FDD6770ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
无铅
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