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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP7N100P
  仓库库存编号：IXFP7N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA24N60X
  仓库库存编号：IXFA24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA7N100P
  仓库库存编号：IXFA7N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ24N60X
  仓库库存编号：IXFQ24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IXFH24N60X
  仓库库存编号：IXFH24N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU9343PBF
  仓库库存编号：IRLU9343PBF-ND
  别名：*IRLU9343PBF
  SP001568868
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80N04S3-06
  仓库库存编号：IPD80N04S306ATMA1CT-ND
  别名：IPD80N04S3-06CT
  IPD80N04S3-06CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI45N06S409AKSA2
  仓库库存编号：IPI45N06S409AKSA2-ND
  别名：SP001028656
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S3-06
  仓库库存编号：IPB80N04S306ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S3-06CT
  IPB80N04S3-06CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S409ATMA2
  仓库库存编号：IPB45N06S409ATMA2-ND
  别名：SP001028652
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP45N06S409AKSA2
  仓库库存编号：IPP45N06S409AKSA2-ND
  别名：SP001028648
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA07N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPA07N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000264431
  SPA07N60CFD
  SPA07N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NK70Z
  仓库库存编号：STP6NK70Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP13NK50Z
  仓库库存编号：497-7504-5-ND
  别名：497-7504-5
  STP13NK50Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW13NK50Z
  仓库库存编号：497-7616-5-ND
  别名：497-7616-5
  STW13NK50Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 700V 5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6NK70Z
  仓库库存编号：STF6NK70Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 28A（Tc） 2.5W（Ta），110W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL52N25M5
  仓库库存编号：497-10783-1-ND
  别名：497-10783-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 73A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 15A（Ta），73A（Tc） 70W（Tc） TO-251
  
  型号：FDU8876
  仓库库存编号：FDU8876-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8672S
  仓库库存编号：FDMS8672SCT-ND
  别名：FDMS8672SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 10A（Tc） 36W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF10N62ZG
  仓库库存编号：NDF10N62ZGOS-ND
  别名：NDF10N62ZG-ND
  NDF10N62ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 55A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP103-TL-H
  仓库库存编号：ATP103-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP107-TL-H
  仓库库存编号：ATP107-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF14N50FD
  仓库库存编号：AOTF14N50FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIB9343
  仓库库存编号：IRLIB9343-ND
  别名：*IRLIB9343
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU9343
  仓库库存编号：IRLU9343-ND
  别名：*IRLU9343
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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