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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6644TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6644TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6644TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB25N06S3L-22
  仓库库存编号：IPB25N06S3L-22-ND
  别名：IPB25N06S3L22XT
  SP000087994
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI25N06S3L-22
  仓库库存编号：IPI25N06S3L-22-ND
  别名：IPI25N06S3L22X
  IPI25N06S3L22XK
  SP000087996
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP25N06S3L-22
  仓库库存编号：IPP25N06S3L-22IN-ND
  别名：IPP25N06S3L-22-ND
  IPP25N06S3L-22IN
  IPP25N06S3L22X
  IPP25N06S3L22XK
  SP000087993
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2-08
  仓库库存编号：SPU30N03S2-08-ND
  别名：SP000014129
  SPU30N03S208X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR9343-701PBF
  仓库库存编号：IRLR9343-701PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S306AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S306AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S3-06
  IPI80N04S3-06-ND
  SP000261237
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S306AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N04S306AKSA1-ND
  别名：IPP80N04S3-06
  IPP80N04S3-06-ND
  IPP80N04S306
  SP000261233
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP07N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP07N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000264424
  SP000681032
  SPP07N60CFD
  SPP07N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW07N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW07N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000264430
  SPW07N60CFD
  SPW07N60CFD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7213-40A,118
  仓库库存编号：BUK7213-40A,118-ND
  别名：934058199118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S409ATMA1
  仓库库存编号：IPB45N06S409ATMA1TR-ND
  别名：IPB45N06S4-09
  IPB45N06S4-09-ND
  SP000374315
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S409ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S409ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S4-09
  IPD50N06S4-09-ND
  SP000374321
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI45N06S409AKSA1
  仓库库存编号：IPI45N06S409AKSA1-ND
  别名：IPI45N06S4-09
  IPI45N06S4-09-ND
  SP000374332
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP45N06S409AKSA1
  仓库库存编号：IPP45N06S409AKSA1-ND
  别名：IPP45N06S4-09
  IPP45N06S4-09-ND
  SP000374339
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6644
  仓库库存编号：IRF6644-ND
  别名：SP001574786
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6644TR1
  仓库库存编号：IRF6644TR1-ND
  别名：SP001561926
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 47nC @ 10V,
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