产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tj) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI9409_F085
仓库库存编号:
FDI9409_F085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Ta) 83W(Ta) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6688
仓库库存编号:
FDD6688CT-ND
别名:FDD6688CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB7NK80ZT4
仓库库存编号:
497-6557-1-ND
别名:497-6557-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 23A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 23A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号:
FDMD8240L
仓库库存编号:
FDMD8240LCT-ND
别名:FDMD8240LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 24A 50W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号:
FDMD8240LET40
仓库库存编号:
FDMD8240LET40CT-ND
别名:FDMD8240LET40CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 35.7W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF400N80ZL1
仓库库存编号:
FCPF400N80ZL1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 195W(Tc) TO-220
型号:
FCP400N80Z
仓库库存编号:
FCP400N80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) DPAK
型号:
STB45N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16129-1-ND
别名:497-16129-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3410TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3410TRLPBFCT-ND
别名:IRFR3410TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7490TRPBF
仓库库存编号:
IRF7490TRPBFCT-ND
别名:IRF7490TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB026N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB026N06NATMA1CT-ND
别名:IPB026N06N-ND
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT
IPB026N06NCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STP7NK80ZFP
仓库库存编号:
497-11399-5-ND
别名:497-11399-5
STP7NK80ZFP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA041N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPA041N04NGXKSA1-ND
别名:SP001191328
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NK80Z
仓库库存编号:
497-15684-5-ND
别名:497-15684-5
STP7NK80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 35.7W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF400N80Z
仓库库存编号:
FCPF400N80Z-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N15DPBF-ND
别名:*IRFB23N15DPBF
SP001566508
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 195W(Tc) I2PAK
型号:
FQI13N50CTU
仓库库存编号:
FQI13N50CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114656
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP43N60DM2
仓库库存编号:
497-16342-5-ND
别名:497-16342-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI029N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPI029N06NAKSA1-ND
别名:IPI029N06N
IPI029N06N-ND
SP000962134
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-220FM
型号:
R6030KNX
仓库库存编号:
R6030KNX-ND
别名:R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 305W(Tc) TO-247
型号:
R6030KNZ1C9
仓库库存编号:
R6030KNZ1C9-ND
别名:R6030KNZ1C9TR
R6030KNZ1C9TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 86W(Tc) TO-3PF
型号:
R6030KNZC8
仓库库存编号:
R6030KNZC8-ND
别名:R6030KNZC8TR
R6030KNZC8TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP041N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP041N04NGXKSA1-ND
别名:IPP041N04N G
IPP041N04N G-ND
IPP041N04NG
SP000680790
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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