产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 4.2W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ800DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ800DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4116DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4116DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7423DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7423DN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 195W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP13N50C
仓库库存编号:
FQP13N50C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N50CF
仓库库存编号:
FQPF10N50CF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Ta),269A(Tc) 2.7W(Ta), 104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H013NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H013NFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
RJK0703DPN-E0#T2
仓库库存编号:
RJK0703DPN-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK0703DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK0703DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Ta),269A(Tc) 2.7W(Ta), 104W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H013NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H013NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26P20P
仓库库存编号:
IXTQ26P20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-220
型号:
IXFP30N60X
仓库库存编号:
IXFP30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-263
型号:
IXFA30N60X
仓库库存编号:
IXFA30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247
型号:
IXFH30N60X
仓库库存编号:
IXFH30N60X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90P
仓库库存编号:
IXFH12N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100P
仓库库存编号:
IXFH10N100P-ND
别名:Q4374359
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N120
仓库库存编号:
IXFH6N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N90Q
仓库库存编号:
IXFH7N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH9N80Q
仓库库存编号:
IXFH9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N120
仓库库存编号:
IXTH6N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 6A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT6N120
仓库库存编号:
IXTT6N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 9A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT9N80Q
仓库库存编号:
IXFT9N80Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT7N90Q
仓库库存编号:
IXFT7N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028680
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028666
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA2-ND
别名:SP001028672
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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