产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028676
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NM50
仓库库存编号:
497-3262-5-ND
别名:497-3262-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 550V 20A(Tc) 45W(Tc) TO-220FP
型号:
STP20NM50FP
仓库库存编号:
497-5394-5-ND
别名:497-5394-5
STP20NM50FP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 82A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL70N10F3
仓库库存编号:
497-13350-1-ND
别名:497-13350-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 22A(Ta) 93W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP2570
仓库库存编号:
FDP2570-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 22A(Ta) 93W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2570
仓库库存编号:
FDB2570-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N50C
仓库库存编号:
FQPF13N50C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N50CSDTU
仓库库存编号:
FQPF13N50CSDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 195W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB13N50CTM
仓库库存编号:
FQB13N50CTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13.5A(Tc) 218W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA13N50C
仓库库存编号:
FQA13N50C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 20-FLFBGA(3.5x4.0)
型号:
FDZ4670
仓库库存编号:
FDZ4670CT-ND
别名:FDZ4670CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4973DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4973DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4973DY-T1-E3CT
SI4973DYT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 218W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA13N50CF_F109
仓库库存编号:
FQA13N50CF_F109-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N50CT
仓库库存编号:
FQPF13N50CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8042(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8042TE12LQMCT-ND
别名:TPC8042TE12LQM
TPC8042TE12LQMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N90P
仓库库存编号:
IXFV12N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N90PS
仓库库存编号:
IXFV12N90PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4973DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4973DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8126,LQ(CM
仓库库存编号:
TPC8126LQ(CM-ND
别名:TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15D
仓库库存编号:
IRFS23N15D-ND
别名:*IRFS23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15D
仓库库存编号:
IRFSL23N15D-ND
别名:*IRFSL23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3410
仓库库存编号:
IRFU3410-ND
别名:*IRFU3410
Q1434118
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFSL23N15DPBF-ND
别名:*IRFSL23N15DPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 38A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3518-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3518-701PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI070N08N3 G
仓库库存编号:
IPI070N08N3 G-ND
别名:SP000454290
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V,
无铅
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