产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRPBF
仓库库存编号:
IRFR1205PBFCT-ND
别名:*IRFR1205TRPBF
IRFR1205PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ44NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ44NPBF-ND
别名:*IRFIZ44NPBF
64-7000PBF
64-7000PBF-ND
SP001572634
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VZSPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VZSPBF-ND
别名:*IRFZ44VZSPBF
SP001557886
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205PBF
仓库库存编号:
IRFU1205PBF-ND
别名:*IRFU1205PBF
SP001578428
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC100N04S51R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R9ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44VZPBF
仓库库存编号:
IRFZ44VZPBF-ND
别名:*IRFZ44VZPBF
SP001565374
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N12N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP114N12N3GXKSA1-ND
别名:IPP114N12N3 G
IPP114N12N3 G-ND
IPP114N12N3G
SP000652740
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名:SP001400108
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44VZSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ44VZSTRL-ND
别名:SP001522838
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205
仓库库存编号:
IRFR1205-ND
别名:*IRFR1205
SP001578028
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1205
仓库库存编号:
IRFU1205-ND
别名:*IRFU1205
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRL
仓库库存编号:
IRFR1205TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205TRR
仓库库存编号:
IRFR1205TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP35N10
仓库库存编号:
SPP35N10IN-ND
别名:SP000013851
SPP35N10IN
SPP35N10X
SPP35N10XTIN
SPP35N10XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10
仓库库存编号:
SPB35N10INTR-ND
别名:SPB35N10INTR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD35N10
仓库库存编号:
SPD35N10INCT-ND
别名:SPD35N10INCT
SPD35N10XTINCT
SPD35N10XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44VZ
仓库库存编号:
IRFZ44VZ-ND
别名:*IRFZ44VZ
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44VZS
仓库库存编号:
IRFZ44VZS-ND
别名:*IRFZ44VZS
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44VZL
仓库库存编号:
IRFZ44VZL-ND
别名:*IRFZ44VZL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10T
仓库库存编号:
SPB35N10T-ND
别名:SP000013627
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10N G
仓库库存编号:
IPP12CN10N G-ND
别名:IPP12CN10NGX
IPP12CN10NGXK
SP000096468
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10 G
仓库库存编号:
SPB35N10 G-ND
别名:SP000102172
SPB35N10GXT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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