产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4835DDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4835DDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4835DDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8483DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8483DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8483DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V TO-252AA
型号:
SQD40030E_GE3
仓库库存编号:
SQD40030E_GE3CT-ND
别名:SQD40030E_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) 136W(Tc) D-PAK(TO-252)
型号:
SQR70090ELR_GE3
仓库库存编号:
SQR70090ELR_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 2.5W(Ta),5.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4835DDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4835DDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4835DDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7121DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7121DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7121DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30.5A(Tc) 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4166DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4166DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4166DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
型号:
SQ4917EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4917EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4917EY-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR466DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR466DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR466DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7938DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7938DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7938DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA64DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIRA64DP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CH POWERPAK SO-8 BWL 30V 2.1MO
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 27.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA64DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA64DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ446EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ446EP-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR864DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR864DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 55W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ886EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ886EP-T1_GE3-ND
别名:SQJ886EP-T1-GE3
SQJ886EP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC644PBF
仓库库存编号:
IRC644PBF-ND
别名:*IRC644PBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7964DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7964DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7964DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 85A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM85N03-06P-E3
仓库库存编号:
SUM85N03-06P-E3CT-ND
别名:SUM85N03-06P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7964DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7964DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.2A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),45.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-23-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-23-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.2A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),45.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-23-GE3
仓库库存编号:
SUD50P04-23-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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