产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6020ANJTL
仓库库存编号:
R6020ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT26N50P
仓库库存编号:
IXTT26N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号:
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名:SP001400108
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 57A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44VZSTRL
仓库库存编号:
AUIRFZ44VZSTRL-ND
别名:SP001522838
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB21NM50N
仓库库存编号:
497-5783-1-ND
别名:497-5783-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF21NM50N
仓库库存编号:
497-4803-5-ND
别名:497-4803-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW21NM50N
仓库库存编号:
497-4806-5-ND
别名:497-4806-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP21NM50N
仓库库存编号:
497-4820-5-ND
别名:497-4820-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC644PBF
仓库库存编号:
IRC644PBF-ND
别名:*IRC644PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 57.5A(Tc) 146W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP58N08
仓库库存编号:
FQP58N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 65A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB65N06TM
仓库库存编号:
FQB65N06TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 49A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 60V 49A(Tc) 86W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF65N06
仓库库存编号:
FQAF65N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60V 72A(Tc) 183W(Tc) TO-3P
型号:
FQA65N06
仓库库存编号:
FQA65N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF27N25T
仓库库存编号:
FQPF27N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 44A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 80V 44A(Tc) 85W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF58N08
仓库库存编号:
FQAF58N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25.5A(Tc) 3.13W(Ta),180W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB27N25TM_AM002
仓库库存编号:
FQB27N25TM_AM002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV26N50P
仓库库存编号:
IXTV26N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 26A(Tc) 460W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV26N50PS
仓库库存编号:
IXTV26N50PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 130W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC26N50P
仓库库存编号:
IXTC26N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 130W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC26N50P
仓库库存编号:
IXFC26N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7964DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7964DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7964DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 85A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM85N03-06P-E3
仓库库存编号:
SUM85N03-06P-E3CT-ND
别名:SUM85N03-06P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7964DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7964DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.2A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),45.4W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-23-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-23-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V,
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