产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6913DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6913DQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6913DQ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 5.5A, 4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8928A
仓库库存编号：
FDS8928ACT-ND
别名：FDS8928ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK
型号：
NTD110N02RT4G
仓库库存编号：
NTD110N02RT4GOSCT-ND
别名：NTD110N02RT4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTAGOSCT-ND
别名：NTLUS3A18PZTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 26A 8HSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），89A（Tc） 2.9W（Ta），34W（Tc） 8-HSO
型号：
SK8603150L
仓库库存编号：
P16261CT-ND
别名：P16261CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17555Q5A
仓库库存编号：
296-34772-1-ND
别名：296-34772-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.9A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6913DQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6913DQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6913DQ-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V 8WSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 2.7W Surface Mount 8-WSON (3.3x3.3)
型号：
CSD87313DMST
仓库库存编号：
296-46623-1-ND
别名：296-46623-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTCG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTCG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTBG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZCTCG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZCTCG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
型号：
SQ3461EV-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ3461EV-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），85A（Tc） 880mW（Ta），48.4W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4847NAT3G
仓库库存编号：
NTMFS4847NAT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK
型号：
STD110N02RT4G-VF01
仓库库存编号：
STD110N02RT4G-VF01-ND
别名：STD110N02RT4G
STD110N02RT4G-ND
STD110N02RT4G-VF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 15A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
型号：
STS15N4LLF3
仓库库存编号：
497-8488-1-ND
别名：497-8488-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL80N4LLF3
仓库库存编号：
497-8486-1-ND
别名：497-8486-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 24V 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） I-Pak
型号：
NTD110N02R-001
仓库库存编号：
NTD110N02R-001OS-ND
别名：NTD110N02R-001OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 95A（Ta），120.5A（Tc） 1.98W（Ta），113.6W（Tc） D2PAK
型号：
NTB125N02RT4
仓库库存编号：
NTB125N02RT4OSCT-ND
别名：NTB125N02RT4OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 12.5A（Ta），110A（Tc） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK
型号：
NTD110N02RT4
仓库库存编号：
NTD110N02RT4OSCT-ND
别名：NTD110N02RT4OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB4302T4
仓库库存编号：
NTB4302T4OS-ND
别名：NTB4302T4OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP4302
仓库库存编号：
NTP4302OS-ND
别名：NTP4302OS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 95A（Ta），120.5A（Tc） 1.98W（Ta），113.6W（Tc） D2PAK
型号：
NTB125N02RT4G
仓库库存编号：
NTB125N02RT4GOS-ND
别名：NTB125N02RT4GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24V 15.9A（Ta） 1.98W（Ta），113.6W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP125N02RG
仓库库存编号：
NTP125N02RGOS-ND
别名：NTP125N02RGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
NTB4302T4G
仓库库存编号：
NTB4302T4GOS-ND
别名：NTB4302T4GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 74A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP4302G
仓库库存编号：
NTP4302GOS-ND
别名：NTP4302GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V,
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