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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW15N60C3
  仓库库存编号：SPW15N60C3IN-ND
  别名：SP000014530
  SPW15N60C3-ND
  SPW15N60C3FKSA1
  SPW15N60C3IN
  SPW15N60C3X
  SPW15N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP244PBF
  仓库库存编号：IRFP244PBF-ND
  别名：*IRFP244PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740STRLPBF
  仓库库存编号：IRF740STRLPBFCT-ND
  别名：IRF740STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA15N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA15N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216325
  SPA15N60C3
  SPA15N60C3IN
  SPA15N60C3IN-ND
  SPA15N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），63A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86255ET150
  仓库库存编号：FDMS86255ET150CT-ND
  别名：FDMS86255ET150CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 78A（Tc） 128W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK6210-55C,118
  仓库库存编号：1727-5503-1-ND
  别名：1727-5503-1
  568-6981-1
  568-6981-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 80V 56A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13.5A(Ta), 56A(Tc) 2.2W（Ta），37.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF286L
  仓库库存编号：785-1727-5-ND
  别名：785-1727-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.8A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 8.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP440PBF
  仓库库存编号：IRFP440PBF-ND
  别名：*IRFP440PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190C6
  仓库库存编号：IPP60R190C6-ND
  别名：IPP60R190C6XKSA1
  SP000621158
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF540Z
  仓库库存编号：AUIRF540Z-ND
  别名：SP001516500
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R190E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R190E6
  IPA60R190E6-ND
  SP000797380
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 159A（Tc） 104W（Tc） 8-VSONP（5x6）
  
  型号：CSD18511Q5AT
  仓库库存编号：296-45230-1-ND
  别名：296-45230-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• IXYS
  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP20N85X
  仓库库存编号：IXFP20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• IXYS
  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-263（D2Pak-HV）
  
  型号：IXFA20N85XHV
  仓库库存编号：IXFA20N85XHV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• IXYS
  850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 540W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH20N85X
  仓库库存编号：IXFH20N85X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247（IXFJ）
  
  型号：IXFJ20N85X
  仓库库存编号：IXFJ20N85X-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6676AS
  仓库库存编号：FDS6676ASCT-ND
  别名：FDS6676ASCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 31A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 94W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFZ44N
  仓库库存编号：AUIRFZ44N-ND
  别名：SP001519708
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 183W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76633S3ST_F085
  仓库库存编号：HUF76633S3ST_F085CT-ND
  别名：HUF76633S3ST_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840STRLPBF
  仓库库存编号：IRF840STRLPBFCT-ND
  别名：IRF840STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4909DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4909DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4909DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86520L
  仓库库存编号：FDMS86520LFSCT-ND
  别名：FDMS86520LFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86263P
  仓库库存编号：FDMS86263PCT-ND
  别名：FDMS86263PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3407DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3407DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3407DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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