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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF15N65
  仓库库存编号：FDPF15N65-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540ZPBF
  仓库库存编号：IRF540ZPBF-ND
  别名：*IRF540ZPBF
  SP001561896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 172W（Tc） DPAK
  
  型号：STD170N4F7AG
  仓库库存编号：497-17307-1-ND
  别名：497-17307-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190E6
  仓库库存编号：IPP60R190E6-ND
  别名：IPP60R190E6XKSA1
  SP000797378
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR670DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR670DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR670DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
  详细描述：表面贴装 N 沟道 124A（Tc） 47W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC2D8N025S
  仓库库存编号：FDMC2D8N025S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 65A（Ta） 88W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK65S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK65S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK65S04K3L(T6L1NQ
  TK65S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta） 3.6W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4302
  仓库库存编号：785-1545-1-ND
  别名：785-1545-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 80V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 13A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT286L
  仓库库存编号：AOT286L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 24A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），156W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6292
  仓库库存编号：AON6292-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 13A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），70A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB286L
  仓库库存编号：AOB286L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP12N60C
  仓库库存编号：FQP12N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
  
  型号：IRF840LPBF
  仓库库存编号：IRF840LPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740STRRPBF
  仓库库存编号：IRF740STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ456EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ456EP-T1_GE3-ND
  别名：SQJ456EP-T1-GE3
  SQJ456EP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8401TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFR8401TRL-ND
  别名：IFAUIRFR8401TRL
  SP001520504
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU8401
  仓库库存编号：IRAUIRFU8401-ND
  别名：IRAUIRFU8401
  SP001518756
  
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  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R190CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R190CEXKSA1-ND
  别名：SP001391612
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF540ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRF540ZSTRL-ND
  别名：SP001516510
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 69A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRFZ48N
  仓库库存编号：AUIRFZ48N-ND
  别名：SP001518286
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R190C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R190C6
  IPI60R190C6-ND
  SP000660618
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA15N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA15N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000293730
  SPA15N65C3
  SPA15N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI15N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI15N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000681002
  SPI15N65C3
  SPI15N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840
  仓库库存编号：IRF840IR-ND
  别名：*IRF840
  IRF840IR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740
  仓库库存编号：IRF740IR-ND
  别名：*IRF740
  IRF740IR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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