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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 60A（Tc） 1.8W（Ta），105W（Tc） TO-262
  
  型号：NP60N055NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP60N055NUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 60A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252-3
  
  型号：NP60N055VUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP60N055VUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-2386
  仓库库存编号：94-2386-ND
  别名：*IRFZ44NS
  IRFZ44NS
  IRFZ44NS-ND
  SP001520076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：94-4582
  仓库库存编号：94-4582-ND
  别名：*IRF5305S
  IRF5305S
  IRF5305S-ND
  SP001520922
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5305
  仓库库存编号：IRFU5305-ND
  别名：*IRFU5305
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ44NL
  仓库库存编号：IRFZ44NL-ND
  别名：*IRFZ44NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5305STRR
  仓库库存编号：IRF5305STRR-ND
  别名：Q971401A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF5305L
  仓库库存编号：IRF5305L-ND
  别名：*IRF5305L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305TRL
  仓库库存编号：IRFR5305TRL-ND
  别名：SP001557064
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305TRR
  仓库库存编号：IRFR5305TRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ44NSTRR
  仓库库存编号：IRFZ44NSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZS
  仓库库存编号：IRF540ZS-ND
  别名：*IRF540ZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540ZL
  仓库库存编号：IRF540ZL-ND
  别名：*IRF540ZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRL
  仓库库存编号：IRF540ZSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRR
  仓库库存编号：IRF540ZSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF540Z
  仓库库存编号：IRF540Z-ND
  别名：*IRF540Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640,127
  仓库库存编号：568-1161-5-ND
  别名：568-1161-5
  934055545127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI15N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI15N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014528
  SP000680998
  SPI15N60C3
  SPI15N60C3-ND
  SPI15N60C3IN
  SPI15N60C3IN-ND
  SPI15N60C3X
  SPI15N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5305CPBF
  仓库库存编号：IRFR5305CPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF5305LPBF
  仓库库存编号：IRF5305LPBF-ND
  别名：SP001574828
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP15N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP15N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000294824
  SP000681054
  SPP15N65C3
  SPP15N65C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF540ZS
  仓库库存编号：AUIRF540ZS-ND
  别名：SP001515788
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFZ44NS
  仓库库存编号：AUIRFZ44NS-ND
  别名：SP001521658
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR8401
  仓库库存编号：IRAUIRFR8401-ND
  别名：IRAUIRFR8401
  SP001518132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI15N65C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI15N65C3HKSA1-ND
  别名：SP000294825
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 63nC @ 10V,
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