产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名:SP001519476
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100V 97A(Tc) 230W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFP4410ZPBF-ND
别名:SP001566138
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Ta),114A(Tc) 3.3W(Ta),100W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7669L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7669L2TRCT-ND
别名:AUIRF7669L2TRCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 99A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4115
仓库库存编号:
AUIRFS4115-ND
别名:SP001520256
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 150V 99A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 99A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL4115
仓库库存编号:
AUIRFSL4115-ND
别名:SP001518794
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 99A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4115TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4115TRL-ND
别名:SP001518088
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 24A(Tc) 56W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI1310N
仓库库存编号:
IRFI1310N-ND
别名:*IRFI1310N
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
94-4796
仓库库存编号:
94-4796-ND
别名:*IRF1010NS
IRF1010NS
IRF1010NS-ND
SP001516322
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010NL
仓库库存编号:
IRF1010NL-ND
别名:*IRF1010NL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010NSTRL
仓库库存编号:
IRF1010NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010NSTRR
仓库库存编号:
IRF1010NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 174A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1302S
仓库库存编号:
IRF1302S-ND
别名:*IRF1302S
Q1432949
SP001569922
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
IRF450
仓库库存编号:
IRF450-ND
别名:*IRF450
Q2009037
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 85A(Tc) 180W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010NLPBF
仓库库存编号:
IRF1010NLPBF-ND
别名:*IRF1010NLPBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4115PBF
仓库库存编号:
IRFSL4115PBF-ND
别名:SP001573516
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),250W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5300TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB023N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB023N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB023N04N GCT
IPB023N04N GCT-ND
IPB023N04NG
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 97A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4410Z
仓库库存编号:
AUIRFS4410Z-ND
别名:SP001520704
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZGPBF-ND
别名:SP001564604
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 160A(Tc) 230W(Tc)
型号:
64-0055PBF
仓库库存编号:
64-0055PBF-ND
别名:SP001553580
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 120nC @ 10V,
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