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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ412EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ412EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ412EP-T1-GE3CT
  SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
  SQJ412EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4409
  仓库库存编号：785-1023-1-ND
  别名：785-1023-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP404-TL-H
  仓库库存编号：869-1087-1-ND
  别名：869-1087-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 100A (Tc) 135W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
  
  型号：SQJQ900E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ900E-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ900E-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH170N8F7-2
  仓库库存编号：497-16002-1-ND
  别名：497-16002-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF3710ZS
  仓库库存编号：AUIRF3710ZS-ND
  别名：SP001522564
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
  
  型号：SUM70040M-GE3
  仓库库存编号：SUM70040M-GE3CT-ND
  别名：SUM70040M-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta） 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C604NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C604NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5C604NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 1.56W（Ta），40W（Tc） LPTS
  
  型号：RCJ510N25TL
  仓库库存编号：RCJ510N25TLCT-ND
  别名：RCJ510N25TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1010NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1010NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3710ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF3710ZSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8307TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8307TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8307TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4410ZTRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4410ZTRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4410ZTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4115TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4115TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4115TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010NPBF
  仓库库存编号：IRF1010NPBF-ND
  别名：*IRF1010NPBF
  SP001563032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3306PBF
  仓库库存编号：IRFB3306PBF-ND
  别名：SP001556002
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 56W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI1310NPBF
  仓库库存编号：IRFI1310NPBF-ND
  别名：*IRFI1310NPBF
  SP001566772
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH16N120P
  仓库库存编号：IXFH16N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 260W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF8010PBF
  仓库库存编号：IRF8010PBF-ND
  别名：*IRF8010PBF
  SP001575444
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4410ZGPBF
  仓库库存编号：IRFB4410ZGPBF-ND
  别名：SP001554600
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 51A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RCX511N25
  仓库库存编号：RCX511N25-ND
  别名：RCX511N25CT
  RCX511N25CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT18M80B
  仓库库存编号：APT18M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3710ZLPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZLPBF-ND
  别名：*IRF3710ZLPBF
  SP001571360
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3306PBF
  仓库库存编号：IRFSL3306PBF-ND
  别名：SP001568072
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 120nC @ 10V,
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