产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 16A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) D-Pak
型号:
FQD16N25CTM
仓库库存编号:
FQD16N25CTMCT-ND
别名:FQD16N25CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 15.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF16N25C
仓库库存编号:
FQPF16N25C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 15.6A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP16N25C
仓库库存编号:
FQP16N25C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 15.6A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB16N25CTM
仓库库存编号:
FQB16N25CTM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 11.4A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 250V 11.4A(Tc) 73W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF16N25C
仓库库存编号:
FQAF16N25C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 17.8A(Tc) 180W(Tc) TO-3P
型号:
FQA16N25C
仓库库存编号:
FQA16N25C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 15.6A(Tc) 3.13W(Ta),139W(Tc) I2PAK
型号:
FQI16N25CTU
仓库库存编号:
FQI16N25CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.5nC @ 10V,
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