产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK9209-40B,118
仓库库存编号:
1727-5257-1-ND
别名:1727-5257-1
568-6582-1
568-6582-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) DPAK
型号:
NTD24N06LT4G
仓库库存编号:
NTD24N06LT4GOSCT-ND
别名:NTD24N06LT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) DPAK
型号:
NTD20N06LT4G
仓库库存编号:
NTD20N06LT4GOSCT-ND
别名:NTD20N06LT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK9212-55B,118
仓库库存编号:
1727-5258-1-ND
别名:1727-5258-1
568-6583-1
568-6583-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 61.8A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-55B,115
仓库库存编号:
1727-4613-1-ND
别名:1727-4613-1
568-5525-1
568-5525-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9609-40B,118
仓库库存编号:
1727-4712-1-ND
别名:1727-4712-1
568-5862-1
568-5862-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCMN2012-TP
仓库库存编号:
MCMN2012-TPMSCT-ND
别名:MCMN2012-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),50A(Tc) 125W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD14AN06LA0_F085
仓库库存编号:
FDD14AN06LA0_F085CT-ND
别名:FDD14AN06LA0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) D2PAK
型号:
NTB45N06LT4G
仓库库存编号:
NTB45N06LT4GOSCT-ND
别名:NTB45N06LT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 95W(Tc) D-Pak
型号:
STD90N03L
仓库库存编号:
497-7979-1-ND
别名:497-7979-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 52.4A(Tc) 3.75W(Ta),121W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB50N06LTM
仓库库存编号:
FQB50N06LTMFSCT-ND
别名:FQB50N06LTMFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA414DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA414DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA414DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 52.4A(Tc) 121W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP50N06L
仓库库存编号:
FQP50N06L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD70NS04ZL
仓库库存编号:
497-10411-1-ND
别名:497-10411-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9607-30B,118
仓库库存编号:
1727-4710-1-ND
别名:1727-4710-1
568-5860-1
568-5860-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.36W(Ta),60W(Tj) DPAK-3
型号:
NTDV20N06LT4G-VF01
仓库库存编号:
NTDV20N06LT4G-VF01-ND
别名:NTDV20N06LT4G
NTDV20N06LT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) DPAK-3
型号:
STD24N06LT4G-VF01
仓库库存编号:
STD24N06LT4G-VF01-ND
别名:STD24N06LT4G
STD24N06LT4G-ND
STD24N06LT4G-VF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) D2PAK
型号:
NTBV45N06LT4G
仓库库存编号:
NTBV45N06LT4G-ND
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无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 95W(Tc) I-Pak
型号:
STD90N03L-1
仓库库存编号:
STD90N03L-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 157W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9507-30B,127
仓库库存编号:
568-5725-5-ND
别名:568-5725
568-5725-5
568-5725-ND
934057695127
BUK9507-30B
BUK9507-30B,127-ND
BUK9507-30B-ND
BUK950730B127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 157W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9509-40B,127
仓库库存编号:
568-5727-5-ND
别名:568-5727
568-5727-5
568-5727-ND
934057696127
BUK9509-40B
BUK9509-40B,127-ND
BUK9509-40B-ND
BUK950940B127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) 2.4W(Ta),125W(Tj) D2PAK
型号:
NTB45N06LT4
仓库库存编号:
NTB45N06LT4OS-ND
别名:NTB45N06LT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06LT4
仓库库存编号:
NTB30N06LT4OS-ND
别名:NTB30N06LT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 5V,
含铅
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