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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4935A
  仓库库存编号：FDS4935ACT-ND
  别名：FDS4935ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD24AN06LA0_F085
  仓库库存编号：FDD24AN06LA0_F085CT-ND
  别名：FDD24AN06LA0_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD12N20LTM
  仓库库存编号：FQD12N20LTMCT-ND
  别名：FQD12N20LTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8K4TB1
  仓库库存编号：SH8K4TB1CT-ND
  别名：SH8K4TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y14-40B,115
  仓库库存编号：1727-4940-1-ND
  别名：1727-4940-1
  568-6234-1
  568-6234-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH075P03TB1
  仓库库存编号：RRH075P03TB1CT-ND
  别名：RRH075P03TB1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8K4FU6TB
  仓库库存编号：SP8K4FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M4FU6TB
  仓库库存编号：SP8M4FU6TBCT-ND
  别名：SP8M4FU6TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 60A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD60NH03L-1
  仓库库存编号：497-3164-5-ND
  别名：497-3164-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 858W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB70NH03LT4
  仓库库存编号：STB70NH03LT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD60NH03LT4
  仓库库存编号：STD60NH03LT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 70A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD70N03L
  仓库库存编号：497-6188-1-ND
  别名：497-6188-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 70A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD70N03L-1
  仓库库存编号：STD70N03L-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH5330E,115
  仓库库存编号：568-2348-1-ND
  别名：568-2348-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8K4TB
  仓库库存编号：SP8K4TBCT-ND
  别名：SP8K4TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M9TB
  仓库库存编号：SP8M9TBCT-ND
  别名：SP8M9TBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4935
  仓库库存编号：FDS4935-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.8A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB24AN06LA0
  仓库库存编号：FDB24AN06LA0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.1A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD24AN06LA0
  仓库库存编号：FDD24AN06LA0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 7.8A（Ta），40A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP24AN06LA0
  仓库库存编号：FDP24AN06LA0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD12N20LTF
  仓库库存编号：FQD12N20LTF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.4A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2502P
  仓库库存编号：FDW2502P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M9FU6TB
  仓库库存编号：SP8M9FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E075RPTR
  仓库库存编号：RP1E075RPCT-ND
  别名：RP1E075RPTRCT
  RP1E075RPTRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
  
  型号：IRF6100
  仓库库存编号：IRF6100CT-ND
  别名：*IRF6100
  IRF6100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 5V,
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