以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7625DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7625DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7625DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB290L
  仓库库存编号：785-1329-1-ND
  别名：785-1329-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD50P03L G
  仓库库存编号：SPD50P03LGINCT-ND
  别名：SPD50P03LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP50020EL-GE3
  仓库库存编号：SUP50020EL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 140A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT290L
  仓库库存编号：785-1271-5-ND
  别名：785-1271-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM50020EL-GE3
  仓库库存编号：SUM50020EL-GE3CT-ND
  别名：SUM50020EL-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7740TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7740TRPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC009NE2LS
  仓库库存编号：BSC009NE2LSCT-ND
  别名：BSC009NE2LSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 89A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7740PBF
  仓库库存编号：IRFR7740PBF-ND
  别名：SP001571546
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 100V 105A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），300W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW292
  仓库库存编号：785-1730-5-ND
  别名：785-1730-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 105A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT292L
  仓库库存编号：785-1636-5-ND
  别名：785-1636-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 105A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB292L
  仓库库存编号：785-1618-1-ND
  别名：785-1618-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N100P
  仓库库存编号：IXFH20N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N100P
  仓库库存编号：IXFT20N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR20N100P
  仓库库存编号：IXFR20N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 87A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 87A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU7740PBF
  仓库库存编号：IRFU7740PBF-ND
  别名：SP001573600
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8812NZ
  仓库库存编号：FDS8812NZCT-ND
  别名：FDS8812NZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4438DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4438DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4438DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4438DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK-SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 288W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R6-40YLC,115
  仓库库存编号：1727-7277-1-ND
  别名：1727-7277-1
  568-9907-1
  568-9907-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK5020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK5020DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 100V 140A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17.5A(Ta), 140A(Tc) 1.9W（Ta），500W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW290
  仓库库存编号：785-1729-5-ND
  别名：785-1729-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP070N06L G
  仓库库存编号：IPP070N06LGIN-ND
  别名：IPP070N06L G-ND
  IPP070N06LGIN
  IPP070N06LGX
  IPP070N06LGXK
  SP000204171
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB070N06L G
  仓库库存编号：IPB070N06LGINCT-ND
  别名：IPB070N06LG
  IPB070N06LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 126nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索