产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E13-60E,127
仓库库存编号:
1727-7240-ND
别名:1727-7240
568-9847-5
568-9847-5-ND
934066633127
BUK7E1360E127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 96W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-60E,118
仓库库存编号:
1727-7250-1-ND
别名:1727-7250-1
568-9879-1
568-9879-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名:SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU04N60S5BKMA1
仓库库存编号:
SPU04N60S5BKMA1-ND
别名:SP000012424
SPU04N60S5
SPU04N60S5-ND
SPU04N60S5IN
SPU04N60S5IN-ND
SPU04N60S5X
SPU04N60S5XK
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5
仓库库存编号:
SPD04N60S5INCT-ND
别名:SPD04N60S5INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 58A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7514-60E,127
仓库库存编号:
568-9836-5-ND
别名:568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60S5BTMA1-ND
别名:SP000313946
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22.9nC @ 10V,
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