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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7106DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7106DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7106DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 7.6A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP2023UFDF-7
  仓库库存编号：DMP2023UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP2023UFDF-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7805ZTRPBF
  仓库库存编号：IRF7805ZPBFCT-ND
  别名：*IRF7805ZTRPBF
  IRF7805ZPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4501H
  仓库库存编号：FDS4501HFSCT-ND
  别名：FDS4501HFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGTR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGCT-ND
  别名：TSM160P02CS RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGDKR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 80W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI55NF03L
  仓库库存编号：497-12263-ND
  别名：497-12263
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.8A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA510PZ
  仓库库存编号：FDMA510PZCT-ND
  别名：FDMA510PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7311TRPBF
  仓库库存编号：IRF7311PBFCT-ND
  别名：*IRF7311TRPBF
  IRF7311PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7106DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7106DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7106DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7112DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7112DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7112DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7112DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7112DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7112DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7317TRPBF
  仓库库存编号：IRF7317PBFCT-ND
  别名：*IRF7317TRPBF
  IRF7317PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
  
  型号：CSD88599Q5DCT
  仓库库存编号：296-46924-1-ND
  别名：296-46924-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
  
  型号：EFC6612R-TF
  仓库库存编号：EFC6612R-TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 89A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.3A（Ta），89A（Tc） 1.33W（Ta），60W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4856NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD4856NT4G-VF01-ND
  别名：NVD4856NT4G
  NVD4856NT4G-ND
  NVD5863NLT4G-VF01
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
  
  型号：EFC6612R-A-TF
  仓库库存编号：EFC6612R-A-TF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0330DPB-01#J0
  仓库库存编号：RJK0330DPB-01#J0CT-ND
  别名：RJK0330DPB-01#J0CT
  RJK0330DPB01J0
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） 5-LFPAK
  
  型号：HAT2261H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2261H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2166H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2166H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 93A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3711ZPBFTR-ND
  别名：IRFR3711ZPBFTR
  IRFR3711ZTRPBF-ND
  IRFR3711ZTRPBFTR-ND
  SP001557010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24V 40A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NH2LL
  仓库库存编号：STP60NH2LL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 13.3A（Ta），89A（Tc） 1.33W（Ta），60W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4856N-1G
  仓库库存编号：NTD4856N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 13.3A（Ta），89A（Tc） 1.33W（Ta），60W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4856N-35G
  仓库库存编号：NTD4856N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 4.5V,
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