产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13.3A(Ta),89A(Tc) 1.33W(Ta),60W(Tc) DPAK
型号:
NTD4856NT4G
仓库库存编号:
NTD4856NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8V 3.5A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3.5A(Ta) 550mW(Ta) 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
型号:
AOC2413
仓库库存编号:
AOC2413-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7311TR
仓库库存编号:
IRF7311TR-ND
别名:SP001562178
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711Z
仓库库存编号:
IRFR3711Z-ND
别名:*IRFR3711Z
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTR
仓库库存编号:
IRFR3711ZTR-ND
别名:SP001571586
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTRL
仓库库存编号:
IRFR3711ZTRL-ND
别名:SP001557036
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTRR
仓库库存编号:
IRFR3711ZTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 18A(Ta),81A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6636
仓库库存编号:
IRF6636CT-ND
别名:IRF6636CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3711ZPBF
仓库库存编号:
IRFU3711ZPBF-ND
别名:*IRFU3711ZPBF
SP001557746
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZPBF
仓库库存编号:
IRFR3711ZPBF-ND
别名:SP001564900
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3711ZTRLPBF-ND
别名:SP001555110
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 18A(Ta),81A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6636TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6636TR1PBFCT-ND
别名:IRF6636TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711ZTRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ZGTRPBF
仓库库存编号:
IRF7805ZGTRPBFCT-ND
别名:IRF7805ZGTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
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MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZCTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3711ZCTRPBFCT-ND
别名:IRFR3711ZCTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V,
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