产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 235W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB33N25TM
仓库库存编号:
FDB33N25TMCT-ND
别名:FDB33N25TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 37W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF33N25T
仓库库存编号:
FDPF33N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1700V 2.5A
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 3W(Ta),55W(Tc) TO-3PF
型号:
WPH4003-1E
仓库库存编号:
WPH4003-1EOS-ND
别名:WPH4003-1EOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP33N25
仓库库存编号:
FDP33N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) DPAK
型号:
NTD24N06T4G
仓库库存编号:
NTD24N06T4GOSCT-ND
别名:NTD24N06T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 55W(Tc) DPAK
型号:
NVD5414NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5414NT4G-VF01-ND
别名:NVD5414NT4G
NVD5414NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 54A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.7A(Ta),54A(Tc) 3.9W(Ta),100W(Tc) DPAK
型号:
NVD5484NLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5484NLT4G-VF01-ND
别名:NVD4810NT4G-VF01
NVD5484NLT4G
NVD5484NLT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述:通孔 N 沟道 250V 37W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF33N25TRDTU
仓库库存编号:
FDPF33N25TRDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD24N06-001
仓库库存编号:
NTD24N06-001OS-ND
别名:NTD24N06-001OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 33A(Tc) 235W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI33N25TU
仓库库存编号:
FDI33N25TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 35A(Tc) 77W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8586
仓库库存编号:
FDU8586-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 35A(Tc) 77W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8586
仓库库存编号:
FDD8586CT-ND
别名:FDD8586CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 24A(Ta) 1.36W(Ta),62.5W(Tj) I-Pak
型号:
NTD24N06-1G
仓库库存编号:
NTD24N06-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 24A(Ta) 55W(Tc) DPAK
型号:
NTD5414NT4G
仓库库存编号:
NTD5414NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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