产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR422DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR422DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR422DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N65APBF
仓库库存编号:
IRFB9N65APBF-ND
别名:*IRFB9N65APBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
SIHU6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHU6N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB5N65APBF
仓库库存编号:
IRFIB5N65APBF-ND
别名:*IRFIB5N65APBF
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 208W(Tc)
型号:
SIHP12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHP12N50C-E3-ND
别名:SIHP12N50C-E3CT
SIHP12N50C-E3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N65E-GE3-ND
别名:SIHD6N65E-GE3CT
SIHD6N65E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA6N65E-E3
仓库库存编号:
SIHA6N65E-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名:SIHB6N65E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF6N65E-GE3-ND
别名:SIHF6N65E-GE3CT
SIHF6N65E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH POWERPAK8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 12A, 9A 3.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7540ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7540ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7540ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP90220E-GE3
仓库库存编号:
SUP90220E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 230W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM90220E-GE3
仓库库存编号:
SUM90220E-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4932DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4932DY-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 34.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR690DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR690DP-T1-RE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD6N65ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N65ET1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD6N65ET4-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N65ET4-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD6N65ET5-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N65ET5-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP6N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 208W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHB12N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 36W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号:
SIHF12N50C-E3-ND
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MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N65A
仓库库存编号:
IRFB9N65A-ND
别名:*IRFB9N65A
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.1A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB5N65A
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR876DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR876DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR876DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 10V,
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