产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 143W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4510TRPBF
仓库库存编号:
IRFR4510TRPBFCT-ND
别名:IRFR4510TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ48NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 1.56W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO130P03S H
仓库库存编号:
BSO130P03S HCT-ND
别名:BSO130P03S HCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.7A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060P03NS3E G
仓库库存编号:
BSC060P03NS3E GCT-ND
别名:BSC060P03NS3E GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48NPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NPBF-ND
别名:*IRFZ48NPBF
SP001552474
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 42W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4510GPBF
仓库库存编号:
IRFI4510GPBF-ND
别名:SP001566752
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD90N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPD90N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028730
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA2-ND
别名:SP001028718
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 135A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 135A(Tc) 74W(Tc) DirectFET? 等容 MF
型号:
IRF7483MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7483MTRPBFCT-ND
别名:IRF7483MTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S405AKSA1-ND
别名:IPI80N06S4-05
IPI80N06S4-05-ND
SP000415632
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S405AKSA1-ND
别名:IPP80N06S4-05
IPP80N06S4-05-ND
SP000415704
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 143W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4510PBF
仓库库存编号:
IRFU4510PBF-ND
别名:SP001557766
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
94-2989
仓库库存编号:
94-2989-ND
别名:*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ48NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ48NL
仓库库存编号:
IRFZ48NL-ND
别名:*IRFZ48NL
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 64A(Tc) 3.8W(Ta),130W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ48NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ48NLPBF-ND
别名:*IRFZ48NLPBF
SP001576332
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.2A(Ta) 1.56W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO130P03SNTMA1
仓库库存编号:
BSO130P03SNTMA1TR-ND
别名:BSO130P03S
BSO130P03S-ND
BSO130P03SNT
BSO130P03ST
SP000014729
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N06S405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N06S405ATMA1TR-ND
别名:IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
SP000481510
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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