产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),90A(Tc) 2.5W(Ta),89W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS8558SDC
仓库库存编号:
FDMS8558SDCCT-ND
别名:FDMS8558SDCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),90A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8558S
仓库库存编号:
FDMS8558SCT-ND
别名:FDMS8558SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) D2PAK
型号:
NTB60N06T4G
仓库库存编号:
NTB60N06T4GOSCT-ND
别名:NTB60N06T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) D2PAK
型号:
NVB60N06T4G
仓库库存编号:
NVB60N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP60N06
仓库库存编号:
NTP60N06OS-ND
别名:NTP60N06OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) TO-220AB
型号:
NTP60N06G
仓库库存编号:
NTP60N06GOS-ND
别名:NTP60N06GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6299S
仓库库存编号:
FDS6299S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Ta) 69W(Ta) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6688S
仓库库存编号:
FDD6688S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Ta) 2.5W(Ta),220W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4222
仓库库存编号:
2SK4222-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 81nC @ 10V,
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