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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7101DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7101DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7101DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NK100Z
  仓库库存编号：497-5021-5-ND
  别名：497-5021-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8NK100Z
  仓库库存编号：497-5007-5-ND
  别名：497-5007-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH36N60P
  仓库库存编号：IXFH36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR36N60P
  仓库库存编号：IXFR36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 405W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60F_F085
  仓库库存编号：FCB20N60F_F085CT-ND
  别名：FCB20N60F_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 341W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60_F085
  仓库库存编号：FCB20N60_F085CT-ND
  别名：FCB20N60_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.8A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH21N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH21N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH21N65EF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 94A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ94N30P3
  仓库库存编号：IXFQ94N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT94N30P3
  仓库库存编号：IXFT94N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS444DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS444DN-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252-3
  
  型号：NP90N055VUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N055VUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT36N60P
  仓库库存编号：IXFT36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK36N60P
  仓库库存编号：IXFK36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 94A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 94A（Tc） 1040W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH94N30P3
  仓库库存编号：IXFH94N30P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET IFX OPTIMOS TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 100A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRF200P223
  仓库库存编号：IRF200P223-ND
  别名：SP001582440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM60
  仓库库存编号：497-3265-5-ND
  别名：497-3265-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta），178A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB1606L
  仓库库存编号：785-1321-1-ND
  别名：785-1321-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 178A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta），178A（Tc） 2.1W（Ta），417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT1606L
  仓库库存编号：785-1411-5-ND
  别名：785-1411-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220
  
  型号：NP89N04MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N04MUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-262
  
  型号：NP89N04NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N04NUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-263
  
  型号：NP89N04PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP89N04PUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NP89N055MUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N055MUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-262
  
  型号：NP89N055NUK-S18-AY
  仓库库存编号：NP89N055NUK-S18-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-263-3
  
  型号：NP89N055PUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP89N055PUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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