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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.2W（Ta），147W（Tc） TO-252
  
  型号：NP90N04VUK-E1-AY
  仓库库存编号：NP90N04VUK-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220
  
  型号：N0439N-S19-AY
  仓库库存编号：N0439N-S19-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB017N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB017N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB017N03LX3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 102nC @ 10V,
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