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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 29A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4459ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4459ADY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18509Q5BT
  仓库库存编号：296-37962-1-ND
  别名：296-37962-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH13N110
  仓库库存编号：IXTH13N110-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP023N08B_F102
  仓库库存编号：FDP023N08B_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50P
  仓库库存编号：IXFN80N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N100Q3
  仓库库存编号：IXFK32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 33A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8020JLL
  仓库库存编号：APT8020JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JFLL
  仓库库存编号：APT60M75JFLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 103A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） 75W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IRFI7536GPBF
  仓库库存编号：IRFI7536GPBF-ND
  别名：SP001566188
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX24N100F
  仓库库存编号：IXFX24N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 24A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 560W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK24N100F
  仓库库存编号：IXFK24N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 560W（Tc） TO-264（IXFK）
  
  型号：IXFK55N50F
  仓库库存编号：IXFK55N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX55N50F
  仓库库存编号：IXFX55N50F-ND
  别名：Q1649656
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 24A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN24N100F
  仓库库存编号：IXFN24N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN55N50F
  仓库库存编号：IXFN55N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N100Q3
  仓库库存编号：IXFX32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8020LFLLG
  仓库库存编号：APT8020LFLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N100Q3
  仓库库存编号：IXFR32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 28A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N100Q3
  仓库库存编号：IXFN32N100Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 56A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M45BVRG
  仓库库存编号：APT20M45BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M85BVRG
  仓库库存编号：APT30M85BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 56A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M45BVFRG
  仓库库存编号：APT20M45BVFRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH14N100
  仓库库存编号：IXTH14N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX73N30Q
  仓库库存编号：IXFX73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 73A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK73N30Q
  仓库库存编号：IXFK73N30Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 195nC @ 10V,
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