产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),111A(Tc) 3.1W(Ta),96W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5832NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5832NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5832NLT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 125W(Tc) Power88
型号:
FCMT299N60
仓库库存编号:
FCMT299N60CT-ND
别名:FCMT299N60CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 127W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP33N10
仓库库存编号:
FQP33N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),37A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2552
仓库库存编号:
FDB2552CT-ND
别名:FDB2552CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta),37A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP2552
仓库库存编号:
FDP2552FS-ND
别名:FDP2552-ND
FDP2552FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB33N10TM
仓库库存编号:
FQB33N10TMCT-ND
别名:FQB33N10TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF33N10
仓库库存编号:
FQPF33N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 136W(Tc) D2PAK
型号:
NTB6413ANT4G
仓库库存编号:
NTB6413ANT4GOSCT-ND
别名:NTB6413ANT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 85A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
SVD5803NT4G
仓库库存编号:
SVD5803NT4G-ND
别名:NVD5803NT4G
NVD5803NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta) 3.7W(Ta),127W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5832NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5832NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta) 3.7W(Ta),127W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5832NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5832NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta) 3.7W(Ta),127W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5832NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5832NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta) 3.7W(Ta),127W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5832NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5832NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta),37A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB2552_F085
仓库库存编号:
FDB2552_F085CT-ND
别名:FDB2552_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 2.2W(Ta) 30-BGA(4x3.5)
型号:
FDZ7064AS
仓库库存编号:
FDZ7064AS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 25.8A(Tc) 83W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF33N10
仓库库存编号:
FQAF33N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 163W(Tc) TO-3P
型号:
FQA33N10
仓库库存编号:
FQA33N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 12.1A(Tc) 3.13W(Ta),179W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB12N50TM_AM002
仓库库存编号:
FQB12N50TM_AM002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12.1A(Tc) 3.13W(Ta),179W(Tc) I2PAK
型号:
FQI12N50TU
仓库库存编号:
FQI12N50TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 76A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD5803NT4G
仓库库存编号:
NTD5803NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP6413ANG
仓库库存编号:
NTP6413ANGOS-ND
别名:NTP6413ANG-ND
NTP6413ANGOS
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MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 136W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6413ANT4G
仓库库存编号:
NVB6413ANT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 10V,
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