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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS7NF60L
  仓库库存编号：497-4757-1-ND
  别名：497-4757-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 600mW（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1A050ZPTR
  仓库库存编号：RT1A050ZPCT-ND
  别名：RT1A050ZPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK（3）
  
  型号：RJK0391DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
  别名：RJK0391DPA-00#J5ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1A060ZPTR
  仓库库存编号：RQ1A060ZPTRCT-ND
  别名：RQ1A060ZPTRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60P4LLF6
  仓库库存编号：497-15480-1-ND
  别名：497-15480-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS10P4LLF6
  仓库库存编号：497-15483-1-ND
  别名：497-15483-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 147A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.1A（Ta），147A（Tc） 930mW（Ta），69.44W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4934NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4934NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4934NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7468TRPBF
  仓库库存编号：IRF7468PBFCT-ND
  别名：*IRF7468TRPBF
  IRF7468PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA908PZ
  仓库库存编号：FDMA908PZCT-ND
  别名：FDMA908PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SOT1220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB10XNEZ
  仓库库存编号：1727-2702-1-ND
  别名：1727-2702-1
  568-13221-1
  568-13221-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 46A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD46P4LLF6
  仓库库存编号：497-15463-1-ND
  别名：497-15463-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB10XNE,115
  仓库库存编号：1727-1364-1-ND
  别名：1727-1364-1
  568-10807-1
  568-10807-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：PSMN005-30K,518
  仓库库存编号：PSMN005-30K,518-ND
  别名：934056843518
  PSMN005-30K /T3
  PSMN005-30K /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-TSSO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.3A 600mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2506P
  仓库库存编号：FDW2506P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 9.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7468
  仓库库存编号：IRF7468-ND
  别名：*IRF7468
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 9.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7468TR
  仓库库存编号：IRF7468TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 4.5V,
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