产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 150A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),150A(Tc) 1.9W(Ta),333W(Tc) TO-220
型号:
AOT410L
仓库库存编号:
785-1237-5-ND
别名:785-1237-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 395W(Tc) TO-247AC
型号:
SUG90090E-GE3
仓库库存编号:
SUG90090E-GE3CT-ND
别名:SUG90090E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH28N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH28N60E-T1-GE3-ND
别名:SIHH28N60E-T1-GE3CT
SIHH28N60E-T1-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76443P3
仓库库存编号:
HUF76443P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76443P3
仓库库存编号:
HUFA76443P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76443S3S
仓库库存编号:
HUFA76443S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 260W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76443S3ST
仓库库存编号:
HUFA76443S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 64A(Tc) 357W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA2712
仓库库存编号:
FDA2712-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 73A EPM15
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 73A Through Hole EPM15
型号:
FD6M033N06
仓库库存编号:
FD6M033N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 129nC @ 10V,
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