以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7139DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7139DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7139DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3205PBF
  仓库库存编号：IRF3205PBF-ND
  别名：*IRF3205PBF
  64-0085PBF
  64-0085PBF-ND
  SP001559536
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3205STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3205STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3205STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3205LPBF
  仓库库存编号：IRF3205LPBF-ND
  别名：*IRF3205LPBF
  SP001564458
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG28N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG28N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SQD50P03-07_GE3
  仓库库存编号：SQD50P03-07_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3205
  仓库库存编号：AUIRF3205-ND
  别名：SP001519502
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH88N20Q
  仓库库存编号：IXFH88N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK88N20Q
  仓库库存编号：IXFK88N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 88A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 500W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX88N20Q
  仓库库存编号：IXFX88N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3205L
  仓库库存编号：IRF3205L-ND
  别名：*IRF3205L
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3205STRR
  仓库库存编号：IRF3205STRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 146nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索