产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT13F120B
仓库库存编号:
APT13F120B-ND
别名:APT13F120BMI
APT13F120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M120B
仓库库存编号:
APT14M120B-ND
别名:APT14M120BMI
APT14M120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT37F50B
仓库库存编号:
APT37F50B-ND
别名:APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 37A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT37F50S
仓库库存编号:
APT37F50S-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1200V 14A(Tc) 625W(Tc) D3Pak
型号:
APT13F120S
仓库库存编号:
APT13F120S-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1
型号:
APTM120H140FT1G
仓库库存编号:
APTM120H140FT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 145nC @ 10V,
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