产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS2002TR
仓库库存编号:
IRLMS2002CT-ND
别名:*IRLMS2002TR
IRLMS2002CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 83W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU07N03LA
仓库库存编号:
IPU07N03LAIN-ND
别名:IPU07N03LAIN
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06N03LA
仓库库存编号:
IPP06N03LAIN-ND
别名:IPP06N03LAIN
IPP06N03LAX
IPP06N03LAXTIN
IPP06N03LAXTIN-ND
SP000014025
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA
仓库库存编号:
IPB06N03LAINCT-ND
别名:IPB06N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LA G
仓库库存编号:
IPD06N03LAGINCT-ND
别名:IPD06N03LAGINCT
IPD06N03LAGXTINCT
IPD06N03LAGXTINCT-ND
IPD06N03LAINCT
IPD06N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD5N03LAG
仓库库存编号:
IPD5N03LAGINCT-ND
别名:IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LAT
仓库库存编号:
IPB06N03LAXTINCT-ND
别名:IPB06N03LAXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.8W(Ta),54W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03S G
仓库库存编号:
BSC052N03S G-ND
别名:BSC052N03SGXT
SP000056192
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB06N03LA G
仓库库存编号:
IPB06N03LA G-ND
别名:IPB06N03LAGXT
SP000068850
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB06N03LB
仓库库存编号:
IPB06N03LB-ND
别名:IPB06N03LBT
SP000065274
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB06N03LB G
仓库库存编号:
IPB06N03LB G-ND
别名:IPB06N03LBGXT
SP000103304
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPDH5N03LA G
仓库库存编号:
IPDH5N03LA G-ND
别名:IPDH5N03LAGXT
SP000064379
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF06N03LA G
仓库库存编号:
IPF06N03LA G-ND
别名:IPF06N03LAGXT
SP000017607
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI06N03LA
仓库库存编号:
IPI06N03LA-ND
别名:IPI06N03LAX
SP000014026
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LA G
仓库库存编号:
IPS06N03LA G-ND
别名:IPS06N03LAGX
SP000015130
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LZ G
仓库库存编号:
IPS06N03LZ G-ND
别名:IPS06N03LZGX
SP000016328
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH5N03LA G
仓库库存编号:
IPSH5N03LA G-ND
别名:IPSH5N03LAGX
SP000064378
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LB G
仓库库存编号:
IPSH6N03LB G-ND
别名:IPSH6N03LBGX
SP000220143
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LB G
仓库库存编号:
IPU06N03LB G-ND
别名:IPU06N03LBGX
SP000209113
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LB G
仓库库存编号:
IPUH6N03LB G-ND
别名:IPUH6N03LBGX
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MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS2002GTRPBF
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IRLMS2002GTRPBFCT-ND
别名:IRLMS2002GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 22nC @ 5V,
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