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• Sanken
  MOSFET N-CH 30V 29A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 32W（Tc） TO-252
  
  型号：DKI03082
  仓库库存编号：DKI03082CT-ND
  别名：DKI03082CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta），40W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI03080
  仓库库存编号：GKI03080CT-ND
  别名：GKI03080CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 52W（Tc） TO-263
  
  型号：SKI03087
  仓库库存编号：SKI03087CT-ND
  别名：SKI03087CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 130W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV03N400S
  仓库库存编号：IXTV03N400S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4000V 300mA（Tc） 70W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF03N400
  仓库库存编号：IXTF03N400-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S4L30ATMA1
  仓库库存编号：IPD25N06S4L30ATMA1CT-ND
  别名：IPD25N06S4L-30CT
  IPD25N06S4L-30CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.3nC @ 10V,
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