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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR158DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR158DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR158DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-15-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-15-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-15-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD034N06N3 G
  仓库库存编号：IPD034N06N3 GINCT-ND
  别名：IPD034N06N3 GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP57N20-33-E3
  仓库库存编号：SUP57N20-33-E3-ND
  别名：SUP57N2033E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH8P50
  仓库库存编号：IXTH8P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 298W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA62N25C
  仓库库存编号：FQA62N25CFS-ND
  别名：FQA62N25C-ND
  FQA62N25CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100
  仓库库存编号：IXFH6N100-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH7P50
  仓库库存编号：IXTH7P50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90P03P404ATMA1
  仓库库存编号：IPD90P03P404ATMA1CT-ND
  别名：IPD90P03P4-04INCT
  IPD90P03P4-04INCT-ND
  IPD90P03P404ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1010EPBF
  仓库库存编号：IRF1010EPBF-ND
  别名：*IRF1010EPBF
  SP001569818
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710PBF
  仓库库存编号：IRF3710PBF-ND
  别名：*IRF3710PBF
  SP001551058
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 160W（Tc） TO-220
  
  型号：IRFB7540PBF
  仓库库存编号：IRFB7540PBF-ND
  别名：SP001563988
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE40PBF
  仓库库存编号：IRFPE40PBF-ND
  别名：*IRFPE40PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP17N50LPBF
  仓库库存编号：IRFP17N50LPBF-ND
  别名：*IRFP17N50LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
  
  型号：TK100E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK100E08N1S1X-ND
  别名：TK100E08N1,S1X(S
  TK100E08N1S1X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB17N50LPBF
  仓库库存编号：IRFB17N50LPBF-ND
  别名：*IRFB17N50LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 98W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR7446TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7446TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7446TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1010ESTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1010ESTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1010ESTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN3R0-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7121-1-ND
  别名：1727-7121-1
  568-9491-1
  568-9491-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.8W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL100N6LF6
  仓库库存编号：497-13273-1-ND
  别名：497-13273-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R2-40PS,127
  仓库库存编号：1727-4267-ND
  别名：1727-4267
  568-4898-5
  568-4898-5-ND
  934063915127
  PSMN2R240PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN3R0-60ES,127
  仓库库存编号：1727-5437-ND
  别名：1727-5437
  568-6906-5
  568-6906-5-ND
  934064562127
  PSMN3R060ES127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R0-60PS,127
  仓库库存编号：1727-4285-ND
  别名：1727-4285
  568-4974-5
  568-4974-5-ND
  934064275127
  PSMN3R060PS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 37W（Tc）
  
  型号：SIHF30N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF30N60E-GE3CT-ND
  别名：SIHF30N60E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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