产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG30N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 130W(Tc) DPAK
型号:
STD180N4F6
仓库库存编号:
497-16938-1-ND
别名:497-16938-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56
详细描述:表面贴装 P 沟道 15.2A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),73W(Tc) Power56
型号:
FDMS6673BZ
仓库库存编号:
FDMS6673BZCT-ND
别名:FDMS6673BZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc)
型号:
SIHP30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP30N60E-GE3CT-ND
别名:SIHP30N60E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 58W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI1010NPBF
仓库库存编号:
IRFI1010NPBF-ND
别名:*IRFI1010NPBF
SP001570872
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK100A08N1,S4X
仓库库存编号:
TK100A08N1S4X-ND
别名:TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 660W(Tc) TO-268
型号:
IXFT24N90P
仓库库存编号:
IXFT24N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH24N90P
仓库库存编号:
IXFH24N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3710LPBF
仓库库存编号:
IRF3710LPBF-ND
别名:*IRF3710LPBF
SP001551048
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 81A(Tc) 170W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP054NPBF
仓库库存编号:
IRFP054NPBF-ND
别名:*IRFP054NPBF
SP001566178
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM60N
仓库库存编号:
497-8460-5-ND
别名:497-8460-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 150W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH175N4F6-2AG
仓库库存编号:
497-15467-1-ND
别名:497-15467-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 150W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH175N4F6-6AG
仓库库存编号:
497-15468-1-ND
别名:497-15468-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75639S3ST
仓库库存编号:
HUFA75639S3STCT-ND
别名:HUFA75639S3STCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM65N20-30-E3
仓库库存编号:
SUM65N20-30-E3CT-ND
别名:SUM65N20-30-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW30N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW30N60E-GE3-ND
别名:SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
IPP80N06S2L-07-ND
别名:IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710STRLPBFCT-ND
别名:IRF3710STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名:SP001067894
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L07ATMA3
仓库库存编号:
IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
别名:IPB80N06S2L07ATMA3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7762TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7762TRLPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7540TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7540TRLPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R2-40BS,118
仓库库存编号:
1727-7118-1-ND
别名:1727-7118-1
568-9488-1
568-9488-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR7540TRPBF
仓库库存编号:
IRFR7540TRPBFCT-ND
别名:IRFR7540TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK72A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK72A12N1S4X-ND
别名:TK72A12N1,S4X(S
TK72A12N1,S4X-ND
TK72A12N1S4X
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V,
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