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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH10N100D
  仓库库存编号：IXTH10N100D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT10N100D
  仓库库存编号：IXTT10N100D-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ40N50Q
  仓库库存编号：IXTQ40N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N50Q
  仓库库存编号：IXFH40N50Q-ND
  别名：Q1794352
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N80Q
  仓库库存编号：IXFH23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT40N50Q
  仓库库存编号：IXFT40N50Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT23N80Q
  仓库库存编号：IXFT23N80Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT6013LLLG
  仓库库存编号：APT6013LLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT6013JLL
  仓库库存编号：APT6013JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRLPBF-ND
  别名：SP001565094
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU7540PBF
  仓库库存编号：IRFU7540PBF-ND
  别名：SP001565384
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P03P405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P03P405ATMA1TR-ND
  别名：IPB80P03P4-05
  IPB80P03P4-05-ND
  SP000396282
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396388
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3007SPBF
  仓库库存编号：IRF3007SPBF-ND
  别名：*IRF3007SPBF
  SP001553924
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3007PBF
  仓库库存编号：IRF3007PBF-ND
  别名：*IRF3007PBF
  SP001571144
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P03P405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P03P405AKSA1-ND
  别名：SP000396316
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Tc） 160W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7540PBF
  仓库库存编号：IRFSL7540PBF-ND
  别名：SP001557648
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3007STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3007STRLPBFTR-ND
  别名：IRF3007STRLPBFTR
  SP001563186
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 85A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 85A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL7762PBF
  仓库库存编号：IRFSL7762PBF-ND
  别名：SP001576382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO263-5
  
  型号：BTS244ZE3062AATMA2
  仓库库存编号：BTS244ZE3062AATMA2-ND
  别名：SP000910844
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：AUIRF3007
  仓库库存编号：AUIRF3007-ND
  别名：SP001522102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5
  
  型号：BTS244ZE3043AKSA2
  仓库库存编号：BTS244ZE3043AKSA2-ND
  别名：SP000969782
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 285W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW24NK55Z
  仓库库存编号：497-7034-5-ND
  别名：497-7034-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N90
  仓库库存编号：IXFH6N90-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.4A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE40
  仓库库存编号：IRFPE40-ND
  别名：*IRFPE40
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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