产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 20V 14.7A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),44W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3706
仓库库存编号:
FDU3706-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 800mW Surface Mount SuperSOT?-8
型号:
NDH8304P
仓库库存编号:
NDH8304P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806N-1G
仓库库存编号:
NTD4806N-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806N-35G
仓库库存编号:
NTD4806N-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806NA-1G
仓库库存编号:
NTD4806NA-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4806NA-35G
仓库库存编号:
NTD4806NA-35G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) DPAK
型号:
NTD4806NAT4G
仓库库存编号:
NTD4806NAT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 9A(Ta) 930mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4503NR2G
仓库库存编号:
NTMS4503NR2GOSCT-ND
别名:NTMS4503NR2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Ta),79A(Tc) 1.4W(Ta),68W(Tc) DPAK
型号:
NTD4806NT4G
仓库库存编号:
NTD4806NT4GOSCT-ND
别名:NTD4806NT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN34UP,115
仓库库存编号:
1727-1357-1-ND
别名:1727-1357-1
568-10799-1
568-10799-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.7A(Ta) 500mW(Ta),8.33W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN40UPE,115
仓库库存编号:
1727-1358-1-ND
别名:1727-1358-1
568-10801-1
568-10801-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4821L
仓库库存编号:
AO4821L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x3)
型号:
AON4407_003
仓库库存编号:
AON4407_003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L_002
仓库库存编号:
AON4407L_002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L_003
仓库库存编号:
AON4407L_003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4407L
仓库库存编号:
AON4407L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466
仓库库存编号:
IRF7466-ND
别名:*IRF7466
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466TR
仓库库存编号:
IRF7466TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7469
仓库库存编号:
IRF7469-ND
别名:*IRF7469
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7757TR
仓库库存编号:
IRF7757TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466TRPBF
仓库库存编号:
IRF7466PBFCT-ND
别名:*IRF7466TRPBF
IRF7466PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7757TRPBF
仓库库存编号:
IRF7757TRPBF-ND
别名:SP001566434
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 86A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU8726PBF
仓库库存编号:
IRLU8726PBF-ND
别名:SP001573088
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 4.5V,
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