产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 30A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRLZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRLZ34NLPBF-ND
别名:*IRLZ34NLPBF
SP001552974
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) I-Pak
型号:
64-4092PBF
仓库库存编号:
64-4092PBF-ND
别名:*IRLU2705PBF
IRLU2705PBF
IRLU2705PBF-ND
SP001550660
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LAT
仓库库存编号:
IPB05N03LAXTINCT-ND
别名:IPB05N03LAXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA G
仓库库存编号:
IPB05N03LA G-ND
别名:IPB05N03LAGXT
SP000068872
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB
仓库库存编号:
IPB05N03LB-ND
别名:IPB05N03LBT
SP000065206
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LB G
仓库库存编号:
IPD05N03LB G-ND
别名:IPD05N03LBGXT
SP000016410
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI05N03LA
仓库库存编号:
IPI05N03LA-ND
别名:IPI05N03LAX
SP000014021
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP05N03LB G
仓库库存编号:
IPP05N03LBGIN-ND
别名:IPP05N03LB G-ND
IPP05N03LBGIN
IPP05N03LBGX
IPP05N03LBGXK
SP000065247
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP07N03LB G
仓库库存编号:
IPP07N03LB G-ND
别名:IPP07N03LBGX
SP000065252
SP000680834
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS05N03LA G
仓库库存编号:
IPS05N03LA G-ND
别名:IPS05N03LAGX
SP000015129
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS05N03LB G
仓库库存编号:
IPS05N03LB G-ND
别名:IPS05N03LBGX
SP000220140
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU05N03LA
仓库库存编号:
IPU05N03LA-ND
别名:SP000014903
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU05N03LA G
仓库库存编号:
IPU05N03LA G-ND
别名:IPU05N03LAGX
SP000017595
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO072N03S
仓库库存编号:
BSO072N03SINCT-ND
别名:BSO072N03SINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LB G
仓库库存编号:
IPB05N03LBGINCT-ND
别名:IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 5V,
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